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其基片可直接作为测量传感元件,扩散电阻在基片内接成电桥形式。当基片受到外力作用而产生形变时,各电阻值将发生变化,电桥就会产生相应的不平衡输出。用作压阻式传感器的基片(或称膜片)材料主要为硅片和锗片,硅片为敏感材料而制成的硅压阻传感器越来越受到人们的重视,尤其是以测量压力和速度的固态压阻式传感器应用为普遍。热电阻传感器(图6)热电阻测温是基于金属导体的电阻值随温度的增加而增加这一特性来进行温度测量的。热电阻大都由纯金属材料制成,应用的是铂和铜,此外,已开始采用镍、锰和铑等材料制造热电阻。

PTC热电阻传感器:该类传感器为正温度系数传感器,即传感器阻值随温度的升高而增大。激光传感器(图7)利用激光技术进行测量的传感器。它由激光器、激光检测器和测量电路组成。激光传感器是新型测量仪表,它的优点是能实现无接触远距离测量,AANDD单点称重传感器,速度快,AANDD单点称重传感器价格,精度高,量程大,抗光、电干扰能力强等。激光传感器工作时,AANDD单点称重传感器报价,先由激光发射二极管对准目标发射激光脉冲。经目标反射后激光向各方向散射。部分散射光返回到传感器,被光学系统接收后成像到雪崩光电二极管上。

霍尔传感器是根据霍尔效应制作的一种磁场传感器,广泛地应用于工业自动化技术、检测技术及信息处理等方面。霍尔效应是研究半导体材料性能的基本方法。通过霍尔效应实验测定的霍尔系数,能够判断半导体材料的导电类型、载流子浓度及载流子迁移率等重要参数。霍尔传感器分为线性型霍尔传感器和开关型霍尔传感器两种。1、线性型霍尔传感器由霍尔元件、线性放大器和射极跟随器组成,它输出模拟量。

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